Стръмността на характеристиките на транзисторни

Н. - Възможно ли е да се научите как да се отцеди текущите промени в зависимост от порта потенциални променя?

Л. - Ще се направи една много проста схема се използва за такива измервания, но първо да ви покаже условните графични нотация FETs. В зависимост от типа полупроводникови символизираща затвора стрелката във всяка посока (фиг. 139).

Но схемата е да се измери си интерес (фиг. 140). Както виждате, потенциалът прилага към портата може да се променя с потенциометър R, свързани в паралел с батерията.

Фиг. 139. Условни графични нотация FETs на тип полупроводникови N (а) и тип р (Ь).

Фиг. 140. ефект транзистор поле на типа на полупроводници и измерения ток, преминаващ през нея, в зависимост от напрежението прилага между порта и източник. Тази промяна напрежение чрез pogentsiometra Ya, получен чрез такава крива измерване подобна на кривата представлява зависимостта на анод ток на потенциала на триодно мрежа.

В волтметър ни показва напрежението прилага между порта и източника и тА - изтичане ток, генериран от батерията.

Според резултатите от измерването се направи кривата, показваща промяната, в зависимост от промяната. Забележете, че голяма част от кривата е прав участък. Кривата дава възможност да се определи наклона на транзистора.

Вие виждате, че когато напрежението се променя от 1/3 -2 до - 1, токът се увеличава от 1 до. Ето защо, на склона е. Това малко количество, обаче, някои полевите транзистори са проводимостта на няколко десетки милиампера на волта.