Пълен настройките на BIOS

II. Чипсет функции за настройка

SDRAM CAS Latency Time (Време за забавяне SDRAM CAS [Колона за запомняне на адреса])

Опции. 2, 3

Контролира времето на забавяне (в такъв импулс периоди), което се случва, преди времето, когато SDRAM започва изпълнение на командата за четене (команда за четене) след неговото приемане. Също така определя стойност "таймер цикъл" за завършване на първата част от пакета. По този начин, по-ниска латентност, толкова по-бързо сделката. Въпреки това, някои SDRAM не сме в състояние да осигури по-ниска латентност стават нестабилни и губят dannye.Takim възможен начин набор изчакване (SDRAM CAS Latency Time) в позиция 2 за оптимална производителност, но се увеличава до 3, ако вашата система става нестабилна.
SDRAM Cycle Time Trás / TrcTras / TRC (SDRAM време цикъл памет)
Опции. 5/6, 6/8

Тази функция ви позволява да промените минималният брой цикли на паметта, необходими за Trás и TRC в SDRAM. Trás означава SDRAM`s Row Active Time (SDRAM дейност времеви редове), т.е. период от време, през който броят на открито за преноса на данни. Налице е също така срок Минимална RAS Pulse Width (минимална продължителност на импулса RAS). TRC, от друга страна, означава SDRAM`s ред цикъл време (цикъл памет / цикъл време серия SDRAM), т.е. периодът от време, през който да се завърши един пълен цикъл на отваряне и ремонт на редица (ред-отворен, ред опресняване цикъл). Настройката по подразбиране е 6/8, бавно и стабилно от 5/6. Въпреки това, той бързо се заменя с 5/6 цикли в SDRAM, но не може да напусне редиците отворен за период от време, достатъчно, за да изпълните тези операции. Това е особено вярно за SDRAM с тактова честота над 100MHz. Ето защо, трябва да се опитате 5/6, за да се увеличи производителността на SDRAM, но тя трябва да се увеличи до 6/8, ако системата стане нестабилна.
SDRAM RAS-към-CAS Delay (забавянето SDRAM RAS-към-CAS)
Опции. 2, 3

Това ви позволява да поставите забавяне между RAS сигналите (Row Адрес Strobe) и CAS (Column запомняне на адреса). Това се случва, когато нещо е писано, да се актуализират или да прочетете в SDRAM. Разбира се, намаляването на забавяне подобрява производителността SDRAM, и да увеличи Напротив, разгражда изпълнение SDRAM.Takim начин намали забавянето на стойност 3 (по подразбиране) до 2 за подобряване на ефективността на SDRAM. Въпреки това, ако намаляването на латентност е проблем с стабилността, зададената стойност обратно към 3.
SDRAM RAS Предналягане Time (Време precharging RAS SDRAM)
Опции. 2, 3

Тази опция задава броят на циклите, необходими за RAS придоби заряда преди опресняване на SDRAM. Намаляването на предналягане време до 2 подобрява производителността SDRAM, но ако тази настройка не е достатъчен, за да зададете SDRAM, на SDRAM може да бъде актуализиран правилно и няма да бъде в състояние да ги задържа. По този начин, за да подобрите ефективността на SDRAM, задайте SDRAM RAS Предналягане Time 2, но се увеличи до 3, ако Предналягане време намаляване води до проблеми със стабилността.
SDRAM цикъл Дължина (SDRAM дължина цикъл)
Опции. 2, 3

Тази функция е подобна на SDRAM CAS Latency Time. Контролира времето на забавяне (в такъв импулс периоди), което се случва, преди времето, когато SDRAM започва изпълнение на командата за четене (команда за четене) след неговото приемане. Също така определя стойност "таймер цикъл" за завършване на първата част от пакета. По този начин, по-малка е продължителността на цикъла, ще се появи на сделката. Въпреки това, някои SDRAM не сме в състояние да осигури по-кратък цикъл става нестабилна. Ако е възможно, инсталирайте Дължина SDRAM Cycle в позиция 2 за оптимална производителност, но се увеличава до 3, ако вашата система става нестабилна.
SDRAM Leadoff Command (време до първия елемент от пакета от данни)
Опции. 3, 4

Тази опция ви позволява да настроите стойността на leadoff време, времето, необходимо преди това ще бъде възможно за достъп до данните, съхранявани в SDRAM. В повечето случаи това време достъпът до първия елемент от пакета данни. За оптимална производителност, задаване на стойност до 3 за бърз достъп до SDRAM, но тя се увеличи до 4, ако системата стане нестабилна.
SDRAM Bank Interleave (редуване SDRAM данни банка)
Опции. 2-Bank, 4-Bank, хора с увреждания

Всяка SDRAM DIMM състои от или 2 или 4 банки банки. Dual-банкови SDRAM DIMM употреба 16Mbit SDRAM чипове и обикновено са 32MB или по-малко по размер. Chetyrehbankovye SDRAM DIMM, от друга страна, обикновено се използва 64Mbit SDRAM чипове, въпреки SDRAM плътност може да достигне 256Mbit на чип. Всички SDRAM DIMMs размер на най-малко 64 МБ или повече по природа са 4 Банкова. Ако използвате една единствена банкова 2-SDRAM DIMM, задаване на стойността на тази опция за 2-Bank. Но ако използвате един чифт SDRAM DIMMs 2-банкови, можете да използвате и 4-Bank опция. С най-SDRAM DIMM модулите 4-банкови, можете да използвате всеки от смяната на опциите (варианти промеждутъчни).

Естеството на тази опция BIOS за "овърклок" на AGP шина (работи с честота по-висока от тази, предвидена). AGP шина е чувствителен към "разпръснат", особено в режим AGP4X и с активен повишен трафик. В действителност по-висока AGP Driving Value може да бъде само начин да се "разпръсне" на AGP шина, което ви трябва. Увеличаване на силата на сигнала автобус, можете да увеличите стабилността на работата си по голям skorostyah.Odnako, бъдете изключително внимателни, увеличаване на AGP Driving Value със стойност "овърклокнат" AGP шина, колкото можете безнадежден щети ви AGP карта! Между другото, противно на някои доклади увеличението на стойността на AGP Driving Value няма да се подобри AGP шина. Това не е функция, която увеличава гуми, така че не трябва да се появи стойността си, ако не е необходимо.

Съгласие за обработването на лични данни