Как да се ускори памет
Днес DDR400 памет се превърна в официална стандарт. JEDEC комисия взе своето решение, и памет и дънна платка производители, най-накрая, решаване на проблема с интеграцията. Както знаете, DDR400, известен още като PC3200, срещат много проблеми с интеграцията, освен прехода към тази памет не води до значително увеличение на производителността. Без никакво официално стандарт, за да се намери перфектната комбинация между паметта и на дънната платка е като игра на покер с лицето надолу.
Старата система също ще се възползват от използването на новите модули. Дори и да не може да работи на модулите DDR400 при максимална честота от 400 MHz, можете да получите по-добри закъснения за изпълнение, които ще увеличат производителността на по-ниски честоти. За тази цел най-подходящи модули бързо памет. Най-вероятно, намаляване на латентността CAS или RAS-към-CAS до голяма степен подобрява производителността на паметта от темпа на нарастване на автобус памет. В тази статия ще разгледаме принципите и забави технология памет и ще ви даде някои съвети за подобряване на ефективността. Нашите съвети се отнасят и за стандарт DDR333 и DDR266, което ви позволява да ги използват за оптимизиране на почти всеки компютър.
Модули за "разпръскване"
Специални модули за "ускоряване" имат по-високи тактови честоти и по-добра латентност. Например, Kingston произвежда PC3500 модули със скорост до 433 MHz.
Най-добре е да си купите специален модул за "ускорение", които надвишават стандартните спецификации DDR400 и осигуряват висока производителност и ниска скорост на латентност. Тези модули са налични в Corsair, Geil, Kingston, Mushkin и други, освен това, те са известни като PC3500 или PC3700. Макар че такива стандарти и не съществува, но заглавието ясно показва как тези модули могат да "ускори".
Въпреки това, DDR SDRAM памет показва максималната му потенциал на двуканална дънни платки, където капацитетът на двата DDR модули развива. Сред дънни платки най-добрият избор ще бъде модел, базиран на чипсет NVIDIA nForce2 за AMD процесори и Intel 865, 875 и 7205 за Intel процесори.
Имайте предвид, че за да работи в режим на двуканална, трябва да инсталирате две (или четири) модул с памет. BIOS обикновено забавя тайминги на паметта за увеличаване на стабилността на системата, необходимо е да се оптимизира. Между другото, днес производителите на памет, като например Corsair и Geil, вече са започнали да продават модули памет по двойки специално за системи на два канала.
доставчици тип Corsair продават модули памет по двойки специално за системи двуканални.
Не оставяйте опити за повишаване на скоростта на автобус памет, дори и на по-стари чипсети. Например, можете да инсталирате DDR400 памет на дънна платка с чипсет VIA KT333 или KT400 за AMD процесори. Ако тези чипсети не може официално да подкрепят новия стандарт памет, можете да намерите най-подходящите опции за "ускоряване" в менюто на BIOS, които ще помогнат за увеличаване на тактовата честота от DDR333 DDR400 до нива.
Въпреки това, ако една система с честота от 400 MHz е нестабилен, а след това можете да забравите за фина настройка на честотата. честота на паметта варира в паралел с автобус на процесора, така че може да се променя само с големи усилия, като преходът от DDR333 до DDR400. Промяната в честота обикновено се прави с помощта на честотата на шината на паметта общо с честотата на ФСБ. Например, 3/3 показва DDR333 и FSB автобус 333 MHz и 4/3 - скорост памет DDR400. Ако искате да се увеличи честотата на паметта на малки стъпки, ще се наложи да промените скоростта на ФСБ.
Въпреки това, от друга страна, ползите от увеличаване на честотата на паметта на система с AMD Athlon XP е далеч от очевидно. Можете дори да влоши качеството на работа, ако зададете автобуса памет на 400 MHz, и ФСБ - 333 MHz. Най-добрият резултат се постига чрез оптимизиране на бързо латентността на паметта в BIOS.
Забавяне по-добър автобусен честота
Закъсненията се отразяват на работата на паметта не по-малко от честотата на шината на паметта. В крайна сметка, трансфер на данни може да се възползва от честотната лента на паметта само когато данните се прочитат от паметта на чип и в същото време да даде своите чипове. Ако паметта се чете от различните зони, поради много причини, потокът от данни се прекъсва. Забавяне памет определя скоростта, с която се изпълняват отделните стъпки по време на достъп с памет. И за да се оптимизира закъснението е наистина си струва, тъй като тя може да се увеличи производителността на до десет процента. Освен това, оптимизация забавяне може да бъде изгодно увеличаване честотата на автобуса. Висококачествени DDR333 памет с ниска латентност ще работи по-бързо DDR400 модул, където закъсненията бяха увеличени, за да се постигне по-високи честоти часовник.
Когато оптимизиране на паметта първото нещо, което трябва да забраните автоматичното конфигуриране. Факт е, че когато активирате тази функция, дънната платка, чете параметрите на забавяне и честотата на чип SPD (Serial Наличие Detect) на модула с памет и след това да ги използва, за да конфигурация памет. Тези параметри се съхраняват в чип производител EEPROM памет, с производителите често презастрахован и показват една много консервативна латентност на паметта работи стабилно на възможно най-голям брой системи. С помощта на ръчна конфигурация, можете да персонализирате перфектната памет за вашата система - в повечето случаи, на модулите памет ще работят постоянно и в повече от спецификациите на производителя.
Ако сте собственик на евтина памет, а след това те по-добре да се настрои ръчно конфигуриран. "Неназовани" производители са известни със своята склонност да се намали производството на цените, освен това, те често се зашити неверни данни в чипа SPD. Нещастен купувачите трябва да се борят с ниска производителност и неправилно функциониране на системата, без да знаят истинската им причина.
Най-важните времената памет са забавени CAS (CL), RAS до CAS (tRCD) и време предналягане RAS (TRP). Много модули памет имат тип PC2700-2.0-2-2.0 или спецификация PC3200-3.0-3-3.0. Първата част от наименованието се отнася до тип на памет, а останалите три номера означават посочените по-горе времена. Други производители посочват CAS латентност като CL 2.0 или CL 3.0. Въпреки, че това забавяне значително се отразява на ефективността, да забравите за останалата част от него е трудно, защото те не са еднакво важни.
Резултатите за паметта на честота (PC2700 = DDR333; PC2100 = DDR266), забавят CAS (CL), забавяне RAS до CAS, RAS предналягане време и ред активен време.
Въведете Матрицата
В BIOS, можете да зададете продължителността на закъснението tRCD и TCL в барове. Колкото по-малко ще е стойността, толкова по-добре ефективността. Забавяне CL 2.0 или дори 1.5 е възможно само в най-бързите модули.
Максимална производителност с 1 GB или по-висок
Трябва да се създаде възможно най-малък спомен. Намаляване на броя на чипове на модула също има положителен ефект върху производителността и стабилността. Модули обикновено се състоят от осем или 16 чипа.
Броят на модулите памет влияе директно върху коефициента на отбора (команда процент). Коефициентът определя броя на циклите, изисквани от контролера на паметта, за да активирате на модулите и чиповете. Ако сте попълнили всички банки на паметта, трябва да се увеличи скоростта на команда от един цикъл за две, за да се запази стабилността на системата. За съжаление, това води до намаляване на производителността с до три процента.
1) Поддържа най-бързата DDR SDRAM стандарт; DDR266 = PC2100; DDR333 = PC2700; DDR400 = PC3200
2) От С1 свързващото поддържа DDR333
3) двуканална интерфейс памет
4) Предлагани 3576 Mbytes
Как да се оптимизира паметта в BIOS
BIOS менюто на дънни платки предлага много възможности за оптимизиране на паметта. Създаване промяна функция на паметта, който, въпреки общия характер, често са дадени различни имена. Ще обясня накратко настройките. Типичните стойности на параметри са показани в скоби, най-добрата стойност е подчертана. Включили сме и примери за имена на опции в различните версии на BIOS. Имайте предвид, че в менюто не е всичко BIOS има всички настройки.
Автоматично конфигуриране / Automatic Configuration (On / Off) (DRAM Auto, времето Избираемо, Timing конфигуриране) Ако желаете да конфигурирате ръчно времетраенето, памет, трябва да се забрани автоматичното конфигуриране на паметта.
Банка за разреждане / Банка Interleaving (Off / 2/4) (Bank Interleave) DDR SDRAM чиповете памет се състои от четири банки. Едновременно достъп до всичките четири банки чрез редуващи се увеличава производителността.
дължина пакет / разрушаване дължина (4/8)
Дължината на пакет показва колко единици данни се изпращат в една трансмисия цикъл. В идеалния случай, един предаване ще запълни една памет линия в L2 кеша на съвременната Pentium 4 и Athlon XP. Това означава, че трябва да бъде равна на 64 байта, или осем пакети от данни.
Честота на паметта / Clock Memory (100/133/166/200 MHz) (DRAM Clock) Определя памет автобус часовник честота. Обикновено е посочено като съотношение на честотата FSB. DDR технология удвоява скоростта на трансфер в сравнение с действителната скорост на часовника на автобуса памет.